常用电子元器件及应用（转载）一、电阻器高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜。碳膜电阻价格低廉，阻值范围宽（10W〜10MW），温度系数为负值。常用额定功率为1/8W〜10W,精度等级为5%、10%、20%，在一般电子产品中大量使用。涂以珐琅或玻璃釉加以保护。线绕电阻具有高稳定性、高精度、大功率等特点。温度系数可做到小于10-6/C，精度高于土0.01%,最大功率可达200W。但线-6/C。可见它是一种高精度电阻。金属玻璃釉电阻（型号：RI）。以无机材料做粘合剂，用印刷烧结工艺在陶瓷基体上形成电阻膜。该电阻具有较高的耐热性和耐潮性，常用它制成小型4.7W〜22MW，精度等级为5%、10%、20%。值范围为10MW〜106MW,允许误差为5%、10%。高压型电阻的阻值范围为7MW〜1000MW,耐压分10kV和35kV两挡。（4）厚膜电阻网络（电阻排）。它是以高铝瓷做基体，综合掩膜、光刻、烧结敏感类使用不同材料和工艺制造的半导体电阻，具有对温度、光照度、湿度、压力、磁自动控制领域中。二、常用电阻器的标志方法把元件的主要参数直接印制在元件的表面上，这种方法主要用于功率比较大的电阻。如电阻表面上印有RXYC-50-T-1k5-10%，其含义是耐潮被釉线绕可调电文字符号法随着电子元件的不断小型化，特别是表面安装元器件（SMC和SMD）的制造工艺不断进步，使得电阻器的体积越来越小，其元件表面上标注的文字符号也作出了对于十个基本标注单位以上的电阻器，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。如100表示其阻值为10X100=10W；223表示其阻22X103数字，第二位用字母“R”表示小数点。如3R9表示其阻值为3.9W。小功率电阻器使用最广泛的是色标法，一般用背景区别电阻器的种类:如浅色（淡绿色、淡蓝色、浅棕色）表示碳膜电阻，用红色表示金属或金属氧化膜电阻，深色表示线绕电阻。一般用色环表示电阻器的数值及精度。普通电阻器大多用四个色环表示其阻值和允许偏差。第一、二环表示有效数字，三环表示倍率（乘数），与前三环距离较大的第四环表示精度。精密电阻器采用五个色环标志，第一、二、三环表示有效数字，第四环表示倍率，与前四环距离较大的第五环表示精度。2.1.4电阻器的正确选用在选择电阻器的阻值时，应根据设计电路时理论计算电阻值，在最靠近标称值系的阻值是表中的数值乘以10n（n为整数）。允许偏差（％）5%阻值（Q1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、10%阻值（Q2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1、1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.220%阻值（Q1.0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8根据理论计算电阻器在电路中消耗的功率，合理选择电阻器的额定功率。一般按定功率是实际功率的1.5〜3倍之间选定。电位器电位器是一种可调电阻，也是电子电路中用途最广泛的元器件之一。它对外有三•有机实芯电位器由导电材料与有机填料、热固性树脂配制成电阻粉，经过热压，在基座上形成实•线绕电位器用合金电阻丝在绝缘骨架上绕制成电阻体，中心抽头的簧片在电阻丝上滑动。线.合成膜电位器在绝缘基体上涂敷一层合成碳膜，经加温聚合后形成碳膜片，再与其他零件组合湿度的适应性差，使用寿命短。4•多圈电位器多圈电位器属于精密电位器。它分有带指针、不带指针等形式，调整圈数有510圈等数种。该电位器除具有线绕电位器的相同特点外，还具有线性优良，能进行精细调整等优点，可广泛应用于对电阻实行精密调整的场合。•瓷介电容器瓷介电容器的主要特点是介质损耗较低，电容量对温度、频率、电压和时间的稳云母电容器云母电容器以云母为介质，多层并联而构成。它具有优良的电器性能和机械性能，具有耐压范围宽、可靠性高、性能稳定、容量精度高等优点，可广泛用于高温、有机薄膜电容器最常见有涤纶电容器和聚丙烯电容器。涤纶电容器的体积小，容量范围大，耐热、耐潮性能好。电解电容器电解电容器的介质是很薄的氧化膜，容量可做得很大，一般标称容量lmF〜10000mF。电解电容有正极和负极之分，使用中应保证正极电位高于负极电位；否则解电容器的漏电流增大，导致电容器过热损坏，甚至炸裂。电解电容器的损耗比较大，性能受温度影响比较大，高频性能差。电解电容器的容量可以做的比较大，但性能较差，寿命短(存储寿命小于5年)。一般使用在要求不高的去耦、耦合和电源滤波电路中。后两者电解电容的性能要优于铝电解电容器，主要用于温度变化范围大，对频率特性要求高，对产品稳定性、可求严格的电路中。但这两种电容器的价格较高。五、电容器的标志方法电容器容量表示方法一般有直接表示法、数码表示法和色码表示法。具体描述如直接表示法通常是用表示数量的字母m(10-3)、m(10-6)、n(10-9)和p(10-12)加上数字组合表示。例如4n7表示4.7X10-9F=4700pF,47n表示47X10-9F=47000pF=0.047mF,6p8表示6.8pF。另外，有时在数字前冠以R,如R33，表示0.33mF;有时用大于1的四位数字表示，单位为pF,如2200表示为2200pF；有时用小于字表示，单位为mF,如0.22为0.22mF。数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表位率，即乘以10i，i是第三位数字。若第三位数字为9,则乘以10-1。如22代表22X103pF=22000pF0.022mF，又如479代表47色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线侧排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为p电容器的正确选用根据电路要求选择合适的电容器型号。一般的耦合、旁路，可选用纸介电容器；电容器。选用电容器应符合标准系列，电容器的额定电压应高于电容器两端实际电压的半导体二极管半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括整流.反向饱和漏电流IS指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温有关。在常温下，硅管的IS为纳安(10-9A)级，锗管的IS为微安(10-6A).额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二.最大反向工作电压URM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的URM值可达几千伏。.最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不.反向恢复时间trr指二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IS时所需要的时间。