1、双极型晶体管，简称晶体管，因为他又两种极性的载流子，即电子和空穴同时参与导电而得名。常见的晶体管由2个PN结组成，按其工作方式可分为：NPN型和PNP型。命题管文字符号为

　　此时，晶体管形成了两个回路，基极回路和集电极回路，发射极为公共端，这种接法称为共发射极电路。

　　（1）发射区（E）向基区（B）扩散电子，因为发射结正偏，发射区（E）的多数载流子（即电子）将向基区（B）扩散形成电流I_{E}，同时，基区（B）的多数载流子（即空穴）也向发射区扩散，但由于基区较薄，而且空穴浓度也较低，所以进入基区（B）的电子只有少部分与这些空穴进行附和，形成I_{BE}。

　　（2）电子在基区（B）的扩散与附和，由于发射区（E）进入到基区（B）的电子起初聚集在发射结的边缘，而靠近集电结的电子很少，这样，在基区（B）中就形成了浓度上的差别，因此自由电子要向集电结边缘扩散，在扩散的过程中，由于基区的载流子浓度远小于发射区的载流子浓度，且基区很薄，所以只有少部分的扩散电子与基区的空穴附和掉，而大部分的自由电子就能扩散到集电结边缘。另外，由于基区（B）接在外电源E_{B}的正极，因此，电源不断的从基区（B）拉走受激发的价电子，这相当于不断的向基区补充被附和掉的空穴，从而形成了基极电流I_{B}，集电区（C）收集从发射区扩散来的电子。

　　（3）由于发射结反偏，内电场增强，集电区（C）的多数载流子（即自由电子）不能扩散到基极区（B），但集电结的内电场能把扩散到集电结边缘的自由电子拉到集电区（C），在集电区（C）的自由电子不断的被电源E_{C}拉走，这部分电子流形成了集电极电流I_{C}，由于发射结的反偏，有利于少子的漂移运动，因此，集电区的少数载流子（即空穴）在内电场的作用下漂移到基区，形成了由少数载流子构成的反向饱和电流I_{CBO}，这部分电流非常小，但这部分电流受温度的影响很大。同时基区（B）扩散来的电子漂移进集电区，形成I_{CE}

　　综上所示，从发射区扩散到基区的电子，大部分到达集电区形成了电流I_{C}，只有很少的一部分在基区和相遇的空穴附和掉，形成了I_{B}，因此I_{B}远小于I_{C}，他们的比值用\beta表示，称为晶体管的直流电流放大系数。

　　从电流分配的角度来看，发射极的电流被分配成了基极电流I_{B}，和集电极电流I_{C}两部分，他们的关系是I_{C}=\beta * I_{B}