汽车的广泛应用，该领域的应用比例将大幅增长;而在GaN射频器件的下游应用领域中，国防和基站是最大的应用领域，未来随着

　　以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AIN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），其主要应用于电力电子器件和射频器件制造中。

　　在电力电子板块，SiC是电力电子器件的主要材料，而GaN的应用占比相对较小。数据显示，2018-2019年，全球SiC和GaN在电力电子器件的应用规模有所增长，2019年达6.4亿美元;据Yole预测，2020年，SiC和GaN的电力电子器件市场规模将达6.9亿美元，增速有所下降，主要受全球疫情的影响。

　　随着产业技术的成熟，SiC及GaN器件相较于Si器件的性能优势愈发明显，第三代功率器件的渗透率逐步提升，应用领域越发广泛。

　　以GaN电力电子器件的应用情况为例，2018-2019年，主要应用于消费类电源领域，至2025年，新能源汽车的应用将占据主导地位，至2030年，工业市场的应用也开始起步。

　　在微波射频板块，GaN是射频器件的主要原料。2019年，全球GaN在射频领域的应用规模达7.4亿美元，较2018年增长了0.95亿美元;据yole预测，2020年GaN在射频领域的应用规模将达9.3亿美元。

　　2019年，GaN射频器件的下游应用领域中，国防是最大的应用领域，应用规模达3.42亿美元，占比约46;其次是基站领域，市场应用规模达3.18亿美元，占比约43%。据yole预测，随着5G基站的应用推广，GaN射频器件在基站的应用占比将有所提升。

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