报告期内，公司以“成为国内半导体晶体材料生长设备领域的领导者，推动中国半导体行业的发展”为目标，在半导体晶体生长设备领域持续深耕，继续致力于晶体生长设备的研发生产。公司坚持自主创新、研发先行的理念，努力提高设备的技术先进性和稳定性，不断拓展技术应用领域，扩大现有设备市场占有率，并持续强化公司运营管理。2023年度，公司成功实现了稳健快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了较为显著的成果。

　　报告期内，公司凭借产品技术的竞争优势，产品销量同比大幅增加，并实现了收入与利润的双增长。2023年度公司实现主营业务收入40,556.73万元，较上年同期增长82.69%，营业收入持续增长；实现归属于上市公司股东的净利润7,101.75万元，较上年同期增长105.63%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,239.10万元，较上年同期增长86.64%，盈利能力大幅增强。

　　报告期内，公司主营业务收入主要来自于晶体生长设备、其他设备及配套、技术服务及辅材的销售收入。

　　核心技术是半导体专用设备企业生存与长远发展的基石与关键，公司坚持以市场需求为导向，持续加大研发投入，密切追踪最新的技术及发展趋势，积极开展对新技术的研究，不断研发新产品和新工艺，丰富核心技术，加快产品与服务创新。报告期内，公司研发费用3,801.50万元，较上年同期增长83.10%，占营业收入的9.37%。

　　优秀的人才是保证公司竞争优势的驱动力。公司高度重视团队的建设和培养，持续引进行业内的专业人才，公司形成了一支经验较为丰富，技术水平较高的人才队伍，紧密跟踪国内外先进技术发展趋势，巩固和提升公司的研发、生产以及客户服务能力。报告期末，公司员工总数为209人，较去年增加48人，同比增长29.81%；其中，研发人员总数为71人，占公司总人数比例为33.97%，较上年同期55人增加16人，同比增长29.09%。此外，公司不断完善研发管理机制和创新激励机制，对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出重大贡献的技术研发人员给予相应的奖励，不断激发技术研发人员的工作热情。

　　报告期内，公司全力巩固现有的市场地位和在细分领域的领先优势，努力提高公司核心技术先进性，持续对算法进行优化和更新迭代，开发精度更高的控制系统以及与之匹配的热场等，着力解决晶体生长过程不可监测等制约碳化硅材料发展的问题。同时，公司紧跟市场需求并进行技术和产品创新，利用现有产品的技术积累和行业经验，有针对性地进行产品定制化开发，将技术推广到其他应用领域。在现有半导体级晶体生长设备业务的基础上，公司结合客户及行业的产品需求，不断进行产品种类的丰富和技术的迭代升级，拓展技术应用领域，以实现能够覆盖更大市场的产品布局。

　　报告期内，公司完成了首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市，向社会公开发行人民币普通股3,459.1524万股，每股发行价格为人民币32.52元，募集资金总额为1,124,916,360.48元，上述资金已全部到位。募集资金主要用于总部生产及研发中心建设等项目，将有效提升公司研发、生产和服务能力，推动公司高质量发展。以登陆科创板为起点，公司将会借助资本市场平台，进一步提升市场竞争力和占有率，致力成为国内半导体晶体生长设备的领先者，为我国半导体行业的发展作出贡献。

　　公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。

　　公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂商的认可，陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电600703）、东尼电子603595）、合晶科技、比亚迪002594）等客户，已取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。

　　根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化工艺方案，公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备，以满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累，公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他设备等主要产品，具体情况如下：

　　公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于8-12英寸半导体硅片制造，设备结构设计具有高稳定性、高可靠性等特点，通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统，能够满足不同技术规格半导体级硅片的生长及制造要求。

　　根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案，可为客户提供热场结构、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力线强度及分布、氧化物过滤系统等为主要产品构成要素的定制化“晶体生长设备+工艺方案”，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。

　　公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流12英寸、8英寸轻掺、重掺硅片制备，生长晶体制备硅片可实现28nm以上CIS/BSI图像传感器芯片、通用处理器芯片、存储芯片，以及90nm以上指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造，28nm以上制程工艺已实现批量化生产。

　　公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。

　　公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、工艺气体流量精度、极限真空、压升率的指标参数要求，保证设备长晶产出的一致性和稳定性，满足客户特定压力及温度控制策略的应用需要，匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求，产品具有定制化特点。公司可根据不同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要，实现腔室结构、加热方式、生长过程监控、控制方式等为主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。公司碳化硅单晶炉结构的模块化设计，便于备货，根据不同客户的不同需求，便于切换设备功能部件，大大缩短供货周期。

　　公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

　　除上述主要产品外，公司根据客户差异化应用需求，研发并供应其他定制化设备。

　　公司自主研制的自动化拉晶控制系统（软硬件），主要应用于G10至G12太阳能电池片的制造，该全自动控制系统具有高可靠性、通用性、安全性等特点。通过配备自主研发的液面距精确控制、直径控制、生长控制等技术，可进一步提高系统的自动化程度和智能控制水平，能够满足光伏单晶硅片高效率、高产量的市场需求。该控制系统，依据多年积累的研发经验及工艺验证，在采用PIDF嵌套式、多循环控制算法的基础上，配备了自主开发的多功能视觉系统和信息化集成控制软件，可实现长晶过程全自动运行和即时监控反馈，同时可实现各辅助工步（例如复投、化料等）自动化操作，无需人工过多干预，极大地提高了客户处设备大规模生产的运行稳定性和单晶生产效率。

　　凭借半导体级单晶硅炉的设计与制造经验，公司向新的业务领域进行拓展，自主开发了光伏级单晶硅炉。该设备具有高度的可靠性与稳定性，可满足光伏市场规模化生产、高自动化程度、高拉速等要求。为达到并匹配客户对于晶体技术指标的需求，公司开发了新一代晶体提拉机构、坩埚升降机构等，提高设备在引晶、转肩、等径、收尾运行过程中的稳定性；设备配备自主研发的自动化拉晶控制系统（软硬件），实现了拉晶过程全自动化运行，并可结合信息化集控软件，进行远程集控操作。且根据客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案，可为客户提供“单晶炉整机+控制系统+工艺方案”为主要构成要素的定制化服务方案，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。

　　公司主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，通过向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品，同时销售设备相关配件等配套产品，提供设备售后维护升级等技术服务，实现收入和利润。

　　公司主要采取自主研发模式，以高温晶体生长设备为基础，以半导体级晶体生长设备为核心，持续进行研发投入，开展自主研发及创新，不断提升设备品质，优化设备性能，取得了晶体生长设备关键核心技术领域的重要成果。

　　公司采购的原材料主要包括机械加工件、机械标准件、热场件、系统部件、电气控制件、仪器仪表及气路部件等。其中，机械加工件、热场件、系统部件及气路部件等零部件由公司进行设计开发，由第三方供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料，完成定制加工后向公司供应；其他标准零部件则面向市场独立进行采购。

　　公司主要采取订单式生产结合库存式生产的生产模式，根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，实施订单式生产为主，少量库存式生产为辅的生产方式。其中，订单式生产指公司在与客户签订订单或客户有较明确的采购预期后，根据订单情况进行设计并组织生产。库存式生产指公司对标准化模块或批量出货设备常用组件，根据内部需求及生产计划进行预生产，达到快速响应客户需求及平衡产能。

　　公司通过直销模式销售产品，与潜在客户主要通过商务谈判等方式获取订单。公司配备了专业的销售与服务团队，负责市场推广、客户开发、销售及售后等服务。

　　客户基于自身的业务发展情况及定制化需求，对公司产品提出要求，并在公司向其提供技术设计方案后进行评审确认。待客户通过公司制定的设计方案后，根据客户的要求提供公司相关的资质材料，完成客户对公司的资质认证，并将公司纳入客户的合格供应商体系中。经履行商务谈判程序后，公司与客户按照双方确认的产品技术设计方案、验收标准及生产、交付、结算等合同条款，签订合同及技术协议书。公司组织生产并完成产品交付、产品验收程序。

　　公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。

　　根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/4754-2017），公司所属行业为“专用设备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”（C3562）；根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2电子核心产业”中的“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。

　　半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点，其技术水平与发展规模已成为衡量一个国家综合国力和产业竞争力的重要标准之一。半导体行业遵循螺旋式上升规律，下游应用行业的需求增长是半导体产业快速发展的核心驱动力。半导体核心元器件晶体管的诞生使得半导体产业迅猛增长，但随着计算机、液晶电视、手机、平板电脑等消费电子渗透率快速提升，行业增长逐步放缓。近年来，人工智能、大数据、云计算、物联网、汽车电子及消费电子等应用领域快速发展，使全球半导体行业逐渐恢复增长。根据SEMI预测，2024年整个半导体产业开始复苏，反弹幅度预计达到15%，全球半导体销售额将达到6,000亿美元，预计到2030年有望突破1万亿美元。

　　凭借巨大的市场需求、下游应用行业快速发展、稳定的经济增长及有利的政策等众多优势条件，我国半导体产业规模持续快速发展。然而半导体产业国产化进程严重滞后于国内快速增长的市场需求，导致该行业存在较严重的进口依赖，市场供需错配状况亟待扭转，进口替代空间巨大。与此同时，随着国际贸易纷争不断，基于电子信息安全等因素考虑，国内半导体产业链技术水平也亟需发展和提升。因此，现阶段国内半导体行业正处于产业升级的关键阶段，实现核心技术“自主可控”为最重要的发展目标。

　　碳化硅作为第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、5G通讯等领域。由于碳化硅衬备成本、良率、产能等主要因素，目前全球碳化硅材料及器件应用仍处于早期，受下游应用领域发展驱动，全球产业已步入高速发展阶段。根据Yoe统计及预测，预计到2028年全球碳化硅器件市场规模有望增长至89.06亿美元，市场规模呈现稳步扩大的趋势。

　　随着半导体产业的第三次转移，中国大陆半导体行业快速发展，带动半导体设备行业也随之发展。在国产设备不断取得突破，持续通过客户验证且下游客户产能顺利爬坡后，国产化率有望得到显著提升。同时，晶圆厂投资力度的加大及新建产能进程的加快，进一步刺激对半导体设备采购需求，为半导体设备行业，尤其是国产半导体设备行业的发展奠定了广阔的市场。此外，除传统硅基晶圆制造外，以碳化硅为代表的第三代半导体材料产业链也愈发成熟，随着下游市场需求逐渐增多，将会带动其晶圆制造产线的建设，进一步加大对半导体设备的需求。

　　由于不同技术等级的芯片需求大量并存，决定了不同技术等级的半导体设备依然存在较大的市场需求，各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。随着下游客户新建产线及更新升级，各半导体设备厂商迎来巨大的成长机遇，拥有更多机会使设备产品获得验证和试用。这也为国内半导体设备企业开发新产品、扩大市场占有率构建有利的竞争环境，形成“设备—工艺—产品”良好的相互促进作用，使国内半导体产业进一步发展，缩小与国际产业水平的差距。

　　半导体级晶体生长设备主要以硅片制备和化合物材料制备的晶体生长设备为主，其中，化合物材料主要以碳化硅为主。硅片/碳化硅材料主要用于制造芯片，应用于通信、消费电子、汽车、工业等领域。晶体生长设备的技术先进性对半导体级硅片、碳化硅单晶衬底的规格指标及性能优劣具有决定性作用。

　　基于成本等因素的考虑，半导体硅片不断向大尺寸方向演进，12英寸硅片占据市场主要份额，对大尺寸单晶硅晶体生长设备产生较大需求；此外，由于设备投入成本较高，技术难度较大等因素，国内12英寸硅片主要依赖于进口，国内厂商市场份额和国产化率较低，进口替代空间巨大。半导体级单晶硅晶体生长设备，尤其是大尺寸设备未来市场前景广阔。

　　国内新能源汽车、光伏逆变等应用领域在全球处于主导地位。以新能源汽车、光伏逆变为代表的碳化硅功率器件应用领域系碳化硅衬底及上游晶体生长设备市场规模增长的主要驱动因素。根据Yoe等机构统计及预测，碳化硅继续强力渗透至新能源汽车领域，汽车应用仍将在众多市场应用中占据绝对主导地位，预计2028年度将达到碳化硅功率器件市场总量的74%。同时其他应用领域主要包括工业、能源等，也将持续带动碳化硅衬底产能需求规模化增长。而不同尺寸、不同类型的碳化硅单晶衬底及不同的下游应用需求又将进一步大幅提升对碳化硅单晶炉的需求。在市场保持高景气度的情况下，在国内产能加速扩产叠加设备国产化率提升的双重因素驱动下，我国碳化硅晶体生长设备市场发展潜力巨大。

　　国内碳化硅晶体生长设备厂商已具备相对成熟的技术能力及产业应用经验，可满足下游碳化硅厂商产业发展需要，国内碳化硅晶体生长设备主要市场份额已由国内厂商占据。

　　公司为国内碳化硅单晶炉主要厂商之一，具备国内领先的碳化硅单晶炉产业技术能力，具有较强的竞争优势。公司产品在碳化硅单晶炉主要技术指标（设备规格指标参数及晶体生长控制指标参数）方面具有先进性，可达到或优于国外主流先进厂商技术水平。此外，公司产品具有国内行业领先的定制化能力，量产阶段的产业经验及下游量产应用进度较国内竞争对手具有领先性。公司产品已大批量交付多家国内下游碳化硅材料主流厂商，并已实现新能源汽车、光伏、工业等下游领域的认证及量产，形成认证壁垒。

　　为保持产品的持续竞争力，公司根据行业发展趋势及市场需求，不断对产品进行优化升级和迭代更新。公司于2020年开始8英寸碳化硅长晶设备的布局，自主研发的8英寸碳化硅单晶炉已向市场批量供应。

　　半导体级单晶硅炉方面，国内产业发展时间较短，国内半导体级晶体生长设备市场由国外供应商占据主要份额，公司产品市场占有率处于国内领先地位。

　　公司为国内较早开展半导体级单晶硅炉产品研发及产业化的公司之一，实现了12英寸半导体级单晶硅炉国产化，产品下游量产应用进度、技术水平在国内厂商中均处于第一梯队。公司覆盖的硅片厂商均为国内行业龙头企业，并与其建立了稳定的合作关系。公司已实现批量产品供应的客户数量较国内同行业公司具有优势。晶体生长控制指标参数方面，在单晶直径控制精度、液面距控制技术等参数，公司产品控制精度已达到国外竞争对手的指标参数水平。公司产品生长晶体品质达到COP-FREE水平，可满足28nm工艺技术节点要求，处于国内领先水平。

　　随着下游半导体芯片认证进度推进、认证品类的不断丰富，公司将持续进行技术突破，积累产业应用时间和验证经验，以迎接国内半导体级晶体生长设备进口替代的更大机遇。

　　3.报告期内新技术、新产业300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

　　近年来，人工智能、云计算、物联网、5G通信等新兴技术的突破，为半导体行业带来了新的增长机会。下游应用场景的日益增加，促使半导体技术不断升级，推动了半导体产业的蓬勃发展。

　　第三代半导体材料的应用正进一步扩大。由于禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等优点，碳化硅为代表的第三代半导体材料在高温、高压、高频以及抗辐射等领域具有广泛的应用前景。近期，新能源汽车销量和渗透率逐步升高，各大头部车企对于碳化硅功率半导体试水的速度、广度和深度也不断推进。2023年，新能源汽车800V平台进展迅速，多款搭载800V平台的车型密集发布，碳化硅上车成为了半导体行业的热点之一。碳化硅车型不断增加，碳化硅器件主要被应用于逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等部件中，在新能源汽车的功率电子系统中起着关键作用。据IDC预测，2024年全球车用半导体市场将比2023年增长25%，达到500亿美元。此外，碳化硅在光伏领域的应用也逐渐成熟。碳化硅器件可帮助有效提高光伏发电转换效率，降低能量损耗，提升设备循环寿命。未来，随着新能源汽车、光伏、5G通信、储能等领域的发展，第三代半导体材料的需求将持续增加，碳化硅产业也将迎来频繁催化。

　　碳化硅衬底8英寸替代6英寸趋势增强，国内外8英寸碳化硅加速布局。碳化硅衬底是整个碳化硅产业链中成本占比最大、技术门槛最高的环节，而扩大晶圆尺寸一直是半导体行业获得更大产能降低单位成本的最有效途径之一。相比6英寸衬底而言，8英寸衬底具备更大的芯片利用面积及成本优势。从6英寸升级到8英寸可增加单批次芯片产量和降低边缘损耗，是进一步降低碳化硅器件成本的关键。虽然目前碳化硅产业仍以6英寸为主流，但Wofspeed、意法半导体和英飞凌等海外头部厂商的8英寸衬底项目都已启动或在建设中；多家国内厂商也在积极推进8英寸碳化硅的开发工作，其中部分选择与国际功率半导体巨头联手。目前碳化硅6英寸向8英寸扩径趋势已较为明确，或将是国内厂商实现弯道超车的一个绝佳的机会。

　　公司基于在晶体生长设备行业多年积累的专业技术及工艺，通过持续研发，对工艺技术和设备不断优化升级，在晶体生长设备设计、晶体生长工艺及控制等技术具有优势。

　　截止2023年12月31日，公司及其子公司累计取得国内专利87项，其中发明专利34项，实用新型专利53项。此外，公司拥有计算机软件著作权4项。报告期内，公司获得新增授权专利12项。

　　报告期内，公司持续进行较高水平的研发投入，以保持公司的核心竞争力。本期研发投入总额3,801.50万元，较上年增加83.10%，主要系新产品研发项目人员增加带来薪酬增加、研发材料投入增加、研发人员本期股权激励增加、研发实验室和设备折旧增加，以及其他差旅等费用增加所致。

　　半导体材料及专用设备行业具有技术壁垒高、研发周期长、资金投入大、下游验证周期长等特点。基于上述特点，目前，国内晶体生长设备领域仅有公司及其他少数行业参与者可实现设备技术验证并批量供应晶体生长设备。此外，考虑到半导体产业链各环节的技术要求、精密程度及稳定性要求极高，通常来说，下游芯片厂商对已通过认证的半导体设备及制备工艺均会进行稽核，硅片/衬底材料厂商对半导体设备和制备工艺的改动均需通知下游芯片厂商，待其进行审核后方可进行。由于更换半导体设备供应商需要较长的时间进行上述稽核，且存在较大的不确定性，已通过认证的半导体设备供应商可形成较强的客户认证壁垒。由于晶体生长设备对硅片/衬底的规格指标及性能优劣具有重要影响，进而对芯片制造及半导体器件的成本与性能产生重要影响，故是否已在下游客户产线投入使用并形成较强的客户认证壁垒，成为衡量晶体生长设备供应商市场竞争力的重要标准。公司无论在大尺寸半导体级单晶炉，还是碳化硅单晶炉方面都具有先发及客户认证的优势。

　　公司基于在晶体生长设备行业多年积累的专业技术及工艺，通过持续研发，对工艺技术和设备不断优化升级，同时对标国外晶体生长设备前沿技术的发展方向，在晶体生长设备设计、晶体生长工艺及控制等技术方面，形成了独创性的设计及技术，掌握了晶体生长设备设计及控制技术、热场的设计与模拟技术和半导体晶体生长工艺开发技术等核心技术，并成功应用到公司主要产品中且实现量产销售，产品技术水平国内领先，部分技术指标已达到国际主流先进水平。公司凭借自主研发的晶体生长设备技术，以及多应用领域产品技术开发经验，已在半导体级晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。同时，公司提供的晶体生长设备已在下游客户产线批量投入使用，得到了众多客户的认可。公司持续对晶体生长设备进行研发，积累了大量的研发经验和技术储备，有助于公司进一步提升技术水平优势和竞争优势。

　　晶体生长设备作为半导体产业链的基础和起点，其设备供应商的市场竞争力主要体现于设备的研发设计、晶体生长工艺积累及下游厂商的认可程度，市场竞争结果体现为设备供应商所开拓客户的实力及地位、是否获得重复和批量订单、设备是否已投入产线使用及市场份额等。

　　公司凭借多年的研发及工艺积累，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，形成了自主研发的核心技术，并覆盖了硅片厂商及碳化硅衬底的国内龙头企业或主流客户，与沪硅产业（上海新昇）、立昂微605358）（金瑞泓）、神工股份、合晶科技、三安光电、东尼电子、比亚迪等知名企业建立了合作关系。自签订首台（套）合同后，公司得到了客户的认可并获得客户的重复和批量订单，结合客户产线建设及业务开展情况，持续推进批量销售且保持跟进，形成了相对其他晶体生长设备企业较强的客户资源优势。此外，通过与上述半导体制造企业建立合作关系后，对客户的核心需求、技术发展的趋势等方面理解更为深刻，有助于公司在研发方向的选择及增强客户粘性，保证了公司未来收入的持续、稳定增长及业务的进一步拓展。

　　公司高度重视技术研发团队建设和培养，持续引进行业内的专业人才，经过多年的积累，公司形成了一支经验较为丰富，技术水平较高的技术研发团队，能紧密跟踪国内外先进技术发展趋势，保证了公司能够不断推出新产品，并不断改进现有产品，巩固和提升公司的技术研发能力。公司按照半导体级单晶硅炉和化合物单晶炉设备等不同研发对象和项目产品，组成了分工明确的专业研发团队。在核心技术人员带领下，公司在晶体生长设备领域不断突破。

　　半导体制造企业具有高度定制化的需求，故供应商服务的快速响应和熟悉客户相关工艺的经验和能力尤为关键，保证了双方无障碍沟通。随着半导体制造环节向亚洲尤其是中国大陆转移，相较于国际竞争对手，在服务中国大陆半导体制造企业方面，公司在地域上更接近客户，对客户的需求及问题能够提供更快捷、更经济、更顺畅的技术支持和客户维护。此外，公司销售及研发人员会定期进行客户拜访，以了解客户需求及市场发展趋势，并对公司产品进行升级或更新换代，以保持产品的持续竞争力。

　　针对海外竞争对手，由于其研发和生产人员成本较高，并且基于距离、沟通不便等因素，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势，人员成本相对较低。此外，公司与国内外供应商建立了较为稳定合作关系，具有较为完善的原材料供应链体系，有利于保证公司产品原材料来源的稳定性及可靠性。同时，随着本土供应链的不断成熟，给予了公司更多的采购选择，使得原材料采购更为稳定，有效降低了公司原材料采购成本及运营成本。

　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

　　半导体材料技术指标由晶体生长设备技术能力及客户制造工艺技术能力共同实现，晶体生长设备技术能力对材料微缺陷水平、金属含量、氧含量等材料技术指标具有重要影响。

　　若在后续研发过程中，公司面临因产品技术及工艺无法持续升级，下游应用领域拓展不及预期，研发资金投入过高，研发进度缓慢等情形引发技术研发风险，则可能导致公司技术研发及产业化应用失败，技术研发及创新无法满足下业实际应用需求，创新成果转化产品需求无法达到客户需求，已投入研发创新成本无法实现预期收益，产品市场竞争力下降等风险，进而对公司的经营规模、盈利能力等方面造成不利影响。

　　随着国内半导体设备行业持续快速发展，行业竞争日益激烈，专业技术人才的需求也将不断增加，若公司不能持续为技术人才提供良好的激励机制和发展平台，公司将面临核心技术人员流失或短缺的风险，从而对公司技术研发能力和经营业绩造成不利影响。

　　未来期间，若公司新增投入研发、管理、销售等生产经营资源无法有效实现业务转化，投入成本效益不及预期，将对公司经营业绩带来持续不利影响。与此同时，公司生产经营面临下游产业、客户发展速度及产业化应用不及预期、行业竞争加剧及市场竞争力下降、技术研发及业务发展未达预期等诸多风险，均可能导致公司报告期后存在产品新增需求减少、收入规模下滑、产品毛利率波动、经营成本上升、经营业绩存在下滑及亏损的风险。

　　目前公司用于生产、研发的厂房及办公场所等房屋均为租赁取得。若出租方在租赁期满前提前终止租赁合同，或公司在租赁期满后不能通过续租、自建等途径解决后续生产场地及厂房问题，将使公司及其子公司的生产场地面临被动搬迁的风险，从而对生产经营产生不利影响。

　　随着公司营业收入规模的不断增长，如未来国内半导体产业发展速度放缓、客户经营情况等发生重大不利变化，公司将面临应收账款回款周期延长、坏账增加等风险。

　　报告期期末，公司存货主要由原材料、在产品、库存商品和发出商品等构成。公司主要采取订单式生产和库存式生产相结合的生产模式，根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造。期末存货余额主要为根据客户订单及发货需求形成的库存商品和尚未验收的发出商品，以及通过市场研判及客户沟通形成销售预测实施的生产备货。公司产品自原材料备货至交付验收存在一定的时间周期。未来，随着公司产销规模的持续扩大，若公司无法对存货进行有效管理，因产品技术更新迭代、销售预测变动、已签订合同订单变更或取消、产品验收无法通过、产品销售价格发生重大不利变化等因素而导致公司存货积压及价值减损，存货可变现净值低于账面净值，发生存货跌价风险，将对公司资产质量、经营业绩和盈利能力造成不利影响。

　　公司产品毛利率变动主要受不同类别产品技术附加值及定制化需求差异、市场开拓及产品定价策略、市场竞争因素、主要零部件采购规模、价格变动等因素影响。若未来上述影响因素发生重大不利变化，公司毛利率将会面临下降的风险，从而对公司盈利能力造成不利影响。

　　公司目前处于业务快速增长期，因履行新增业务投入采购、生产的营运资金呈持续增长趋势，导致公司各期经营活动现金流量净额与净利润增长趋势不完全同步。未来随着公司经营规模的持续扩大，购建长期资产及营运资金需求日益增加，如果客户不能及时履行产品结算义务，或公司及使用效率降低，可能导致公司出现流动性风险。

　　公司自成立以来，凭借多项科技成果研发转化、高端装备研制等项目收到政府补助及相关科技奖励。如果公司未来不能持续获得政府补助或政府补助显著降低，将会对公司经营业绩产生不利影响。

　　公司被认定为高新技术企业，报告期内公司享受高新技术企业所得税的优惠税率。如果未来公司无法通过高新技术企业资格复审，或国家相关税收政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而对公司经营业绩造成不利影响。

　　伴随着中国半导体终端应用市场的不断增长，全球半导体产业第三次转移的进程，中国半导体设备、材料、制造、封测等子行业的发展迅速，占全球半导体市场份额将逐步提升。一方面，国际主要半导体材料及专用设备厂商将凭借其现有的资金、技术、市场及客户优势，在国内半导体市场进一步巩固及扩大其市场份额及领先优势；另一方面，随着我国政策的大力支持，国内新增半导体材料设备厂商也逐渐加入行业参与竞争。若公司未来无法有效应对国际主要厂商和国内新进入者的双重竞争，公司的财务状况及经营成果都将受到不利影响。

　　半导体行业发展呈现一定的周期性特点，如果未来宏观经济增速下滑，终端消费市场的需求下滑，上游产业链资本性投入及产出大于行业应用需求，产能利用率下降，半导体材料及芯片制造厂商将减少半导体设备的采购，宏观经济及行业固有的周期性波动将对公司发展产生不利影响。若未来国家相关产业政策支持力度减弱，因技术发展等因素导致产业国产化进程减速或不及预期，公司亦将面临因产业政策变化导致经营业绩下滑的风险。

　　半导体专用设备行业是典型的技术密集型行业，公司存在与竞争对手产生知识产权纠纷的风险，届时可能需要通过法律诉讼等方式维护自身权益，由此可能需承担较高的法律和经济成本，将对公司的生产经营造成不利影响。

　　截至本报告披露日，公司存在银行账户（非主要经营账户）被南京市栖霞区人民法院冻结的情况，冻结涉及的银行账号为：0、1、2；账户类型：3年期大额存单；合计金额：3,000.00万元；冻结时效：1年。

　　上述冻结事项系由中科钢研节能科技有限公司因设备买卖合同纠纷案件一审诉讼请求被南京市栖霞区人民法院驳回后提起上诉而申请。

　　截至本报告披露日，南京市中级人民法院已受理该上诉案件。最终结果尚存在不确定性，对公司造成的实际影响最终需以法院判决结果为准。

　　报告期内，公司实现营业收入40,557.08万元，同比增长82.70%；归属于上市公司股东的净利润7,101.75万元，同比增长105.63%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益净利润4,239.10万元，同比增加86.64%。

　　长期以来，半导体硅片行业被全球前五大硅片厂商垄断，包括日本信越化学、日本胜高、中国台湾环球晶圆、德国世创和韩国SK五大企业。国内半导体硅片行业起步较晚，中国大陆硅片厂商份额占比较低。在碳化硅衬底的制备技术与产业化领域，美国和欧洲等国家地区具备较大优势，主要厂商包括美国科锐公司、美国Ⅱ-Ⅵ和德国SiCrysta等企业。国内碳化硅衬备水平及应用领域也与国外龙头企业存在一定差距。

　　然而，受国际贸易纷争、电子信息安全等因素影响，国内半导体技术自主可控的要求迫在眉睫，半导体材料及设备国产化趋势日趋明显。随着国内下业的快速发展及半导体产业链的不断完善，国内硅片厂商在半导体材料国产化进程中崭露头角，而国内碳化硅衬底材料厂商也已逐步实现产业化发展。此外，基于服务的快速响应、无障碍沟通、产品性价比及自主可控等多方面考虑，国内半导体设备企业逐渐被各大半导体厂商接受并成为其重要选择。

　　近年来，我国不断出台包含税收减免、人才培养、科研支持、投资鼓励、产业协同等方面在内的多项半导体行业支持政策。在良好的政策环境下，2023年以来一级市场资金持续投入半导体产业，刺激国内半导体产业整体规模快速增长，资本的助力为半导体企业注入了新动能。同时，由于中国大陆是全球最大的半导体终端产品消费市场，越来越多的国际半导体企业向中国转移产能。持续的产能转移和国际合作的增强带动了中国大陆半导体整体产业规模和技术水平的提高，为半导体设备行业提供了巨大的市场空间和发展机会。晶体生长设备作为晶圆制造的核心设备及起点，将受益于下游需求推动，迎来行业快速发展阶段。

　　随着AI、汽车电子、工业自动化等应用领域多元化拓展，存储器技术架构进入3D时代，Chipet技术应运而生，全球半导体市场需求有望进一步增长的同时，对于半导体技术的要求也不断提高。为了满足新兴应用的需求，半导体行业正持续推进先进制程技术，来提高芯片性能、降低功耗。另外，工业互联网和智能制造的发展也正推动半导体生产过程向智能化、自动化方向迈进。结合人工智能、大数据分析等技术，半导体设备可以帮助实现生产效率的提升与生产成本的降低，同时保证产品质量和一致性。

　　综上，国内半导体行业正处于产业升级的关键阶段，面临着巨大的机遇和挑战。通过不断创新、加大投入、加强产业链协同和国际合作，半导体行业将继续引领科技革新，推动新质生产力和数字化社会的发展。

　　公司以“成为国内半导体晶体材料生长设备领域的领导者，推动中国半导体行业的发展”为目标，在半导体晶体生长设备领域持续深耕，致力于晶体生长设备的研发生产。针对现有产品，公司将努力提升设备的技术先进性和稳定性，推进设备的定制化开发以匹配客户不断更新的工艺制程，从而进一步助力客户提升和改善晶体品质与良率。同时，公司也将凭借在半导体行业中的先发优势以及长期沉淀的技术积累和行业经验，抓住上市机遇迅速规模化布局并加快产能扩充，以匹配行业高速发展的需求。

　　此外，公司不断拓展技术应用领域，将自动化控制等半导体相关技术应用到其它行业和业务领域。公司将围绕工业4.0，以解决行业痛点为主要开发方向，积极推动设备自动化及智能化，争做“设备+平台解决方案”的领先供应商，也为公司未来发展创造更大市场空间。

　　一直以来公司坚持自主创新、研发先行的理念，持续提升核心技术竞争力。未来，公司将在新产品方面加大研发投入，力争为公司带来新的业绩增长。部分新产品如CVD设备、切割设备等已在研发和测试阶段。今后公司也将继续响应半导体设备国产替代的号召，进一步发掘并满足现有客户对其他产品的潜在需求，借助客户粘度，与客户展开更全面更深入的合作。

　　为更好地实现公司的战略和发展目标，2024年公司将着重从以下几个方面开展工作：

　　公司将深挖客户需求，提高客户粘性，凭借公司长期从事并持续专注晶体生长设备所具备的显著客户资源优势，继续保持稳健经营，确保主营业务平稳发展。同时，结合公司发展定位，继续增加前瞻性研发投入，增强公司综合研发能力。

　　公司将制定核心技术中长期规划，为公司经营业绩持续增长输送源动力。2024年，公司研发人员数量仍将保持较高人员占比水平，在保证研发效率、持续创新突破的同时，持续在细分领域进行产品开发与储备，保证产品有序推向市场。

　　公司将推进海外战略布局，持续加大海外业务拓展与渠道建设力度，全面开展推广与销售工作。公司充分利用大陆市场内已积累的成熟技术和客户经验，以优质的产品和服务质量开拓中国台湾地区和海外市场，积极发展不同地区的商业合作伙伴，根据实际业务需要，采用多样灵活的合作方式深入当地市场，扩大公司产品在全球市场的占有率。

　　公司将深入落实人才战略，加强人才队伍的建设、培养及管理。结合外部引进和内部培养的方式，逐步打造形成符合公司人才战略和市场竞争发展要求的专业人才队伍。同时公司持续健全人才培养和管理制度，完善科学的薪酬管理体系和激励机制，推进股权激励计划的实施，加强员工对企业文化的认同感和融入感，营造持续创新、团结和谐的员工氛围，为公司可持续化发展凝聚人才，打造更具竞争力的人才团队。

　　公司将积极推进募集资金投资项目的建设，在确保项目质量的前提下，有计划地推进项目建设进度，力争实现本次募集资金投资项目早日投产并达到预期效益。

　　连续9个交易日收涨，戴维斯双击来袭，这一指数领涨全球！多重利好助推，机构看好A股“红五月”

　　外媒：哈马斯将在未来几天宣布批准停火提议，将分阶段释放人质并得到美国关于以撤军保证

　　已有233家主力机构披露2023-12-31报告期持股数据，持仓量总计1291.45万股，占流通A股42.42%

　　近期的平均成本为31.66元。该股资金方面呈流出状态，投资者请谨慎投资。该公司运营状况良好，多数机构认为该股长期投资价值较高。

　　限售解禁：解禁3496万股(预计值)，占总股本比例25.26%，股份类型：首发原股东限售股份。(本次数据根据公告推理而来，实际情况以上市公司公告为准)

　　限售解禁：解禁138.4万股(预计值)，占总股本比例1.00%，股份类型：首发战略配售股份。(本次数据根据公告推理而来，实际情况以上市公司公告为准)

　　限售解禁：解禁421.7万股(预计值)，占总股本比例3.05%，股份类型：首发原股东限售股份。(本次数据根据公告推理而来，实际情况以上市公司公告为准)

　　限售解禁：解禁585.8万股(预计值)，占总股本比例4.23%，股份类型：首发原股东限售股份。(本次数据根据公告推理而来，实际情况以上市公司公告为准)

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